三星將推新V-NAND 對戰SK海力士

三星將推新V-NAND 對戰SK海力士
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SK海力士及三星分別將於10月26日及10月31日公佈最新財報,兩家公司營運現況及新產品推出進度,將引起市場矚目。

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根據外電報導,三星總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee在其部落格中寫道,第九代V-NAND基於雙層結構,層數將達到業界最高水準,將於2024年初量產。

三星正開發超過300層的第九代V-NAND,仍以三星2020年首次採用的雙層堆疊技術,顯示非揮發性記憶體步入正軌,其層數有望超過競爭對手。

Jung-Bae Lee在其部落格中指出,三星還在研究下一代具價值的技術,包括最大限度提高V-NAND輸入/輸出(I/O)速度的新結構。

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根據外媒報導,三星在即將推出的SSD中,將會使用這種記憶體。

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SK海力士8月宣佈,新321層堆疊4D NAND Flash快閃記憶體樣品,成爲業界首間開發完成300層以上堆疊NAND Flash公司。但從三星最新進度可知,三星有望超車SK海力士,並擁有更多記憶體層數。

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